UCC21550BDWR vs UCC21521DWR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা UCC21550BDWR নির্দিষ্ট Texas Instruments ও UCC21521DWR নির্দিষ্ট Texas Instruments. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Texas Instruments
UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments
UCC21550BDWR ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | UCC21550BDWR | UCC21521DWR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Texas Instruments | Texas Instruments |
| ক্যাটাগরি | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| আউটপুট কনফিগারেশন | Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) | — |
| Peak Source Current | 4 A | 4 A |
| Peak Sink Current | 6 A | 6 A |
| Isolation Type | Capacitive coupling, reinforced isolation | — |
| Isolation Voltage | 5000 Vrms | — |
| CMTI (Common-Mode Transient Immunity) | > 125 V/ns | — |
| VDD Output Supply Range | Up to 25 V | — |
| UVLO Threshold | 8 V (VDD UVLO) | — |
| Programmable Dead Time | Yes | — |
| Disable Function | Yes | — |
| Junction Temperature Range | -40 C to +150 C | — |
| প্যাকেজ | 16-SOIC (DW) | SOIC-16 (DW) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Driven Devices | Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Channel Count | — | 2 |
| Isolation Rating | — | 5700 Vrms |
| CMTI | — | 100 V/ns (minimum) |
| Propagation Delay | — | 19 ns (typical) |
| Delay Matching | — | 5 ns (maximum) |
| Pulse-Width Distortion | — | 6 ns (maximum) |
| Minimum Pulse Width | — | 10 ns |
| Max Switching Frequency | — | 5 MHz |
| Isolation Technology | — | Capacitive coupling |
| Input Threshold | — | TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) |
| Enable / Disable Pin | — | Yes (DIS) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -40C to +125C |
| Configurations | — | Dual low-side, dual high-side, or half-bridge |