UCC21550BDWR vs UCC21521DWR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना UCC21550BDWR द्वारा Texas Instruments और UCC21521DWR द्वारा Texas Instruments. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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UCC21550BDWR UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR ✓ सक्रिय
Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर UCC21550BDWR UCC21521DWR
ब्रांड Texas Instruments Texas Instruments
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes —
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
पैकेज 16-SOIC (DW) SOIC-16 (DW)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Channel Count — 2
Isolation Rating — 5700 Vrms
CMTI — 100 V/ns (minimum)
Propagation Delay — 19 ns (typical)
Delay Matching — 5 ns (maximum)
Pulse-Width Distortion — 6 ns (maximum)
Minimum Pulse Width — 10 ns
Max Switching Frequency — 5 MHz
Isolation Technology — Capacitive coupling
Input Threshold — TTL and CMOS compatible (3.3 V logic)
Enable / Disable Pin — Yes (DIS)
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C
Configurations — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge

डेटाशीट और संसाधन

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