UCC21550BDWR vs UCC21521DWR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21550BDWR par Texas Instruments et UCC21521DWR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21550BDWR UCC21521DWR
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $2,15
Configuration de sortie Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes —
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Boîtier 16-SOIC (DW) SOIC-16 (DW)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Channel Count — 2
Isolation Rating — 5700 Vrms
CMTI — 100 V/ns (minimum)
Propagation Delay — 19 ns (typical)
Delay Matching — 5 ns (maximum)
Pulse-Width Distortion — 6 ns (maximum)
Minimum Pulse Width — 10 ns
Max Switching Frequency — 5 MHz
Isolation Technology — Capacitive coupling
Input Threshold — TTL and CMOS compatible (3.3 V logic)
Enable / Disable Pin — Yes (DIS)
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Configurations — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge

Fiches techniques et ressources

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