UCC21550BDWR vs UCC21521DWR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21550BDWR tarafından Texas Instruments ve UCC21521DWR tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21550BDWR UCC21521DWR
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Çıkış Konfigürasyonu Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes —
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Paket 16-SOIC (DW) SOIC-16 (DW)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Channel Count — 2
Isolation Rating — 5700 Vrms
CMTI — 100 V/ns (minimum)
Propagation Delay — 19 ns (typical)
Delay Matching — 5 ns (maximum)
Pulse-Width Distortion — 6 ns (maximum)
Minimum Pulse Width — 10 ns
Max Switching Frequency — 5 MHz
Isolation Technology — Capacitive coupling
Input Threshold — TTL and CMOS compatible (3.3 V logic)
Enable / Disable Pin — Yes (DIS)
İşletim Sıcaklığı — -40C to +125C
Configurations — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin