renesas+semiconductor-news
কিভাবে এটা সাক্ষ্যবাহী?
| দাবি | www.eejournal.com | অবস্থা |
|---|---|---|
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | হ্যাঁ | একক সূত্র |
একটি বিষয়বোর্ড তৈরি হয় যখন কমপক্ষে দুটি স্বতন্ত্র উৎস একই ঘটনাটির বিষয়টি আলোচনা করে। একই ঘটনাটির পরবর্তী প্রকাশনা এই টাইমলাইনের মধ্যেই মিলিত হয়, একটি স্বতন্ত্র সংক্ষিপ্ত না প্রকাশ করা হয় — সেগুলি পরিণামস্বরূপ নতুন কোনও তথ্যই যোগ করা না হলে: একটি নতুন সংখ্যা, একটি নতুন পক্ষ, বা একটি সরকারী নিশ্চয়ন
ফ্যাক্টর-স্থায়ীত্ব
সম্প্রতির দিশা (দৈনিক সিরিজ, ল্যাগ ≤14 দিন):neutral
সংমিশ্র চাপ সূচক-9.7 · neutral
মাপকাঠীতা মূল্যায়নযোগ্য2 -এ 3
গেট C19 ফলাফলevaluable
দুইরকম আক্ষরতন্ত্র মূল্যায়নযোগ্য থাকলে আমরা একটি অপরিবর্তিত রূপ দেখাচ্ছি যেমন একটি একক আক্ষরতন্ত্রকে কম্বিনড অমূল্যায়নের জায়গায় স্থাপন করা হয়
এই বিষয়ে পূর্বাভাস
| দাবি | অবস্থা |
|---|---|
| renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages | অপেক্ষার অবস্থা |
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | অপেক্ষার অবস্থা |
আলোচনা
পড়ার উদ্দেশ্য চালু; পোস্ট করতে লগইন করা প্রয়োজন
এই বিষয়ের তর্কে যোগ দিতে লগইন করুন
লগইন করুন