renesas+semiconductor-news
Seberapa baik ini dapat disahkan?
| Klaim | www.eejournal.com | Status Biasa |
|---|---|---|
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | ya | satu sumber |
Sebuah halaman topik hanya dibuat apabila setidaknya dua sumber bebas mencakup peristiwa yang sama. Laporan ulang tentang peristiwa yang sama disatukan ke garisan masa ini daripada diterbitkan sebagai laporan ringkas — kecuali ia menambah fakta baru yang penting: angka baru, pihak baru, atau pengesahan rasmi.
Faktor kestabilan
Arah masa depan (rantai harian, lag ≤14 hari)neutral
Indeks tekanan gabungan-9.7 · neutral
Dimensi yang dapat diukur2 dari 3
Hasil Gate C19evaluable
Dengan kurang daripada dua dimensi yang dapat dievaluasi, kami menunjukkan kekurangan state kerana membenarkan satu dimensi untuk menggantikan kesimpulan gabungan.
Ramalan dalam subjek ini
| Klaim | Status Biasa |
|---|---|
| renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages | Menunggu |
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | Menunggu |
Diskusi
Bacaan terbuka; pemberitahuan memerlukan pendaftaran.
Daftar masuk untuk ikut dalam diskusi tentang topik ini.
Daftar masuk