renesas+semiconductor-news
Paano ang katangian ng pagpapatunay?
| Pahayag | www.eejournal.com | Kalagayan |
|---|---|---|
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | Oo | isang pinagmulan |
Ang isang pahina ng paksa ay nilikha lamang kapag may dalawang independiyenteng pinagmulan na nagkakaroon ng parehong kaganapan. Ang susunod na pagkakalagay ng parehong kaganapan ay hugasan sa timeline kaysa sa paglathala bilang isang hiwalay na maikling balita — maliban kung ito ay nagdagdag ng malaking bagay: isang bagong bilang, isang bagong partido, o isang opisyal na pagpapatibay:
Konsistensyang pinagmumulan
Kung wala pang dalawang epektibong sukat, ipinapakita namin ang isang nawawala na estado kaysa ipapakita ang isang sukat na nagmumukha ng pinagsamang hudyat.
Mga panghuhula sa paksang ito
| Pahayag | Kalagayan |
|---|---|
| renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages | Naghihintay |
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | Naghihintay |
Talakayan
Libre ang pagbabasa; pagpapa-post ay nangangailangan ng pag-sign in
Mag-sign in upang sumali sa usapang tungkol sa paksa na ito.
Mag-sign in