renesas+semiconductor-news

renesas Từ
Không cần đăng nhập để đọc: dòng thời gian 0 tóm tắt, 0 mốc chốt được biên tập và 2 forecasts. Yêu cầu đăng nhập: bình luận · thích · theo dõi chủ đề này
Tracked topic: renesas+semiconductor-newsEditorial cover for a tracked topic: Chip motif, topic title, and a summary strip of real counts.TRACKED TOPICrenesas+semiconductor-newsAT A GLANCE0 sources1 briefXAIPART
Topic cover. Rendered as static SVG because channel and topic cards have no JavaScript context.

Điều này được xác minh tốt đến mức nào?

Bảng xác nhận —哪個媒体发布了哪篇brief
Đề xuất www.eejournal.com Trạng thái
Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, đúng 单一来源

Trang chủ đề chỉ được tạo khi ít nhất hai nguồn độc lập đã báo cáo sự kiện tương tự. Các báo cáo tương tự về sự kiện này sẽ được hợp nhất vào lịch này thay vì xuất bản như một tóm tắt riêng biệt — trừ khi nó thêm một thực tế mới quan trọng: một số liệu mới, một bên mới, hoặc xác nhận chính thức.

Yếu tố sự nhất quán

Hướng gần hạn (chuỗi hàng ngày, lags ≤14 ngày)neutral
Chỉ số áp lực tổng hợp-9.7 · neutral
Chiều đo có thể đánh giá2 của 3
Kết quả cửa C19evaluable

Khi có ít hơn hai dimensions để đánh giá, chúng tôi hiển thị trạng thái thiếu

Dự báo về chủ đề này

Đòi hỏi chứng minh và trạng thái hiện tại — các yêu cầu được bác bỏ vẫn hiển thị
Đề xuấtTrạng thái
renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages Chờ xử lý
Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, Chờ xử lý

Thảo luận

Đọc là mở; đăng bài cần đăng nhập

Đăng nhập để tham gia cuộc thảo luận về chủ đề này

Đăng nhập