renesas+semiconductor-news
این تا چه حد تأیید شده است؟
| ادعا | www.eejournal.com | وضعیت |
|---|---|---|
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | بله | تک‌منبع |
صفحه موضوع تنها زمانی ایجاد می‌شود که حداقل دو رسانه مستقل رویداد یکسانی را پوشش دهند. پوشش بعدی همان رویداد در این خط زمانی ادغام می‌شود و به‌صورت خبر جداگانه منتشر نمی‌شود — مگر اینکه واقعیت مهم و تازه‌ای اضافه کند: رقم جدید، طرف جدید یا تأیید رسمی.
سازگاری عوامل
جهت کوتاه‌مدت (سری روزانه، تأخیر ≤۱۴ روز)neutral
شاخص فشار ترکیبی-9.7 · neutral
ابعاد قابل ارزیابی2 از 3
نتیجه دروازه C19evaluable
وقتی کمتر از دو بُعد قابل ارزیابی باشد، وضعیت نامشخص نمایش می‌دهیم تا اینکه یک بُعد تنها جای قضاوت ترکیبی را بگیرد.
پیش‌بینی‌های این موضوع
| ادعا | وضعیت |
|---|---|
| renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages | در انتظار |
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | در انتظار |
بحث
خواندن آزاد است؛ برای ارسال باید وارد شوید.
برای پیوستن به بحث درباره این موضوع وارد شوید.
ورود