renesas+semiconductor-news
إلى أي مدى هذا مدعوم؟
| ادعاء | www.eejournal.com | الحالة |
|---|---|---|
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | نعم | مصدر واحد |
لا تُنشأ صفحة موضوع إلا عندما تغطي منفذان مستقلان على الأقل الحدث نفسه. تُدمج التغطية اللاحقة للحدث نفسه في هذا الخط الزمني بدلًا من نشرها كموجز منفصل — إلا إذا أضافت حقيقة جديدة جوهرية: رقم جديد، أو طرف جديد، أو تأكيد رسمي.
اتساق العوامل
اتجاه المدى القريب (سلاسل يومية، تأخر ≤14 يومًا)neutral
مؤشر الضغط المركب-9.7 · neutral
الأبعاد القابلة للتقييم2 من 3
نتيجة البوابة C19evaluable
عندما يكون عدد الأبعاد القابلة للتقييم أقل من اثنين، نعرض حالة مفقودة بدلًا من السماح لبُعد واحد بأن يمثل حكمًا مركبًا.
التوقعات حول هذا الموضوع
| ادعاء | الحالة |
|---|---|
| renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages | قيد الانتظار |
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | قيد الانتظار |
النقاش
القراءة متاحة للجميع؛ النشر يتطلب تسجيل الدخول.
سجّل الدخول للانضمام إلى النقاش حول هذا الموضوع.
تسجيل الدخول