renesas+semiconductor-news

renesas Şu anda
Zaman çizelgesini okumak için giriş yapma gereği yoktur: 0 özetler, 0 Kurulan kilometre taşları ve 2 forecasts. Giriş yapın: yorum · beğen · bu konuyu takip edin
Tracked topic: renesas+semiconductor-newsEditorial cover for a tracked topic: Chip motif, topic title, and a summary strip of real counts.TRACKED TOPICrenesas+semiconductor-newsAT A GLANCE0 sources1 briefXAIPART
Topic cover. Rendered as static SVG because channel and topic cards have no JavaScript context.

Bu ne kadar doğrulanmıştır?

Onaylama matrisi — hangi kaynaktan hangi özet taşındı
İddia www.eejournal.com Durum
Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, evet tek kaynak

En az iki bağımsız kaynaktan aynı etkinlik kapsandığında bir konu sayfası oluşturulur. Aynı etkinliğin daha sonra kapsamı, ayrı bir özet olarak yayınlanmak yerine bu zaman çizelgesine birleştirilir - yeni bir maddi gerçek eklenmedikçe: yeni bir figür, yeni bir taraf veya resmi bir onay:

Faktör tutarlılığı

Yakın vadeli yön (günlük seriler, gecikme ≤14 gün)neutral
Kompozit baskı endeksi-9.7 · neutral
Değerlendirilebilir boyutlar2 of 3
C19 kapısı sonucuevaluable

İki boyutdan az boyutta değerlendirilebilir olanlarda, tek bir boyutu kombinli bir yargı yerine eksik bir durum gösteririz

Bu konudaki tahminler

Soyutlayıcı iddialar ve mevcut durumu — soyutlanmış iddialar açık kalır
İddiaDurum
renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages Bekleyen
Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, Bekleyen

Tartışma

Okuma açık; paylaşmak için giriş yapma gereklidir

Bu konu hakkında tartışmaya katılmak için giriş yapın.

Giriş yap