renesas+semiconductor-news
Qual o grau de corroboração?
| Afirmação | www.eejournal.com | Status |
|---|---|---|
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | sim | fonte única |
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Consistência dos fatores
Direção de curto prazo (série diária, atraso ≤14 dias)neutral
Índice de pressão composto-7.6 · neutral
Dimensões avaliáveis2 de 3
Resultado do filtro C19evaluable
Com menos de duas dimensões avaliáveis, exibimos um estado de ausência em vez de deixar uma única dimensão representar um julgamento combinado.
Previsões sobre este tópico
| Afirmação | Status |
|---|---|
| renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages | Pendente |
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | Pendente |
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