renesas+semiconductor-news
यह कितनी अच्छी तरह से साबित की जाती है
| दावा | www.eejournal.com | स्थिति |
|---|---|---|
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | हाँ | एकल स्रोत |
एक थीम पेज केवल तब बनाया जाता है जब कम से कम दो स्वतंत्र आउटलेटों ने एक ही घटना को कवर किया हो। एक ही घटना का बाद का कवरेज इस लाइन में मिलाया जाता है, न कि एक अलग ब्रीफ के रूप में प्रकाशित किया जाता है — अगर वह मौद्रिक रूप से नई तथ्य प्रदान करता है: एक नई गणना, एक नई पार्टी या आधिकारिक पुष्टि के रूप में।
फैक्टर साम्य
करीबी दिशा (नियमित श्रृंखला, लैग ≤14 दिन)neutral
संयुक्त दबाव सूचकांक-9.7 · neutral
आयाम मूल्यांकनीय2 ऑफ 3
गेट C19 परिणामevaluable
कम से कम दो मापदंड दूरी पर आया है; हम एकल दूरी को समय के लिए सूचीबद्ध रूप से दिखाते हैं.
इस विषय पर पूर्वानुमान
| दावा | स्थिति |
|---|---|
| renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages | लंबित |
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | लंबित |
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