renesas+semiconductor-news
עד כמה זה מאומת?
| טענה | www.eejournal.com | סטטוס |
|---|---|---|
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | כן | מקור יחיד |
דף נושא נוצר רק כאשר לפחות שני מקורות עצמאיים מסקרים את אותו אירוע. סיקור מאוחר של אותו אירוע ממוזג לציר הזמן הזה ולא מפורסם כתקציר נפרד — אלא אם הוא מוסיף עובדה חדשה מהותית: נתון חדש, צד חדש או אישור רשמי.
עקביות גורמים
כיוון לטווח קרוב (סדרות יומיות, פיגור ≤14 ימים)neutral
מדד לחץ משולב-9.7 · neutral
ממדים הניתנים להערכה2 מתוך 3
תוצאת שער C19evaluable
כשפחות משני ממדים ניתנים להערכה, אנו מציגים מצב חסר במקום לתת לממד אחד לייצג שיפוט משולב.
תחזיות בנושא זה
| טענה | סטטוס |
|---|---|
| renesas-brings-100v-e-mode-gan-fets-to-48v-ai-data-center-and-robotics-power-stages | ממתין |
| Renesas adds four 100V E-mode GaN FETs (RDS(on) 1.2 to 5 milliohm) claiming up to 63 percent lower soft-switching FOM than comparable GaN devices, targeting 800 VDC / 48V power stages for AI servers, | ממתין |
דיון
הקריאה פתוחה; פרסום דורש התחברות.
התחברו כדי להצטרף לדיון בנושא זה.
התחברות