1EDI20I12MFXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDI20I12MFXUMA1 توسط Infineon و 2ED21064S06JXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDI20I12MFXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Isolated single-channel high-side gate driver High-Side and Low-Side Gate Driver
Isolation Type Galvanic (coreless transformer) —
Number of Channels 1 —
Output Current (Source/Sink) 2 A peak —
Active Miller Clamp Current 2 A —
Maximum Operating Voltage (Switch side) 1200 V —
Propagation Delay (typ.) 300 ns —
Input Logic Inverting / Non-inverting —
پیکربندی خروجی Single high-side driver —
Minimum Creepage 4 mm —
Short Circuit Protection Yes (clamping) —
بسته‌بندی PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Supply Voltage (Secondary) [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range] —
CMTI [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity] —
UVLO Yes (secondary side) —
وضعیت RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
توپولوژی — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت