1EDN8511BXUSA1 vs 1ED3323MC12NXUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN8511BXUSA1 توسط Infineon و 1ED3323MC12NXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | 1EDN8511BXUSA1 | 1ED3323MC12NXUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Channel Count | 1 | — |
| Driver Configuration | Low-side | — |
| Peak Source Current | 4 A | 8.5 A |
| Peak Sink Current | 8 A | 9 A |
| Input Stage | Inverting and non-inverting | — |
| Propagation Delay Accuracy | [DATA_NEEDED: typical propagation delay] | — |
| UVLO Threshold | 8 V | — |
| Driver Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] | — |
| دمای اتصال کاری | -40 °C to +150 °C | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT23-6-2 | PG-DSO-16-40 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 6 | — |
| Logic Input Compatibility | TTL / CMOS | — |
| Target Switch Type | Power MOSFET, GaN HEMT | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| عملکرد | — | Single-channel isolated gate driver |
| Isolation Voltage (Vrms) | — | 5.7 kVrms |
| Number of Channels | — | 1 |
| Primary-Side Supply Voltage (VDD1) | — | 3.1 V to 5.5 V |
| Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) | — | 9 V to 18 V |
| Propagation Delay (typ) | — | 85 ns |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | — | [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us] |
| Protection Features | — | DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO |
| محدوده دمای کاری | — | -40 C to +125 C |
| Family | — | EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x) |
| Isolation Technology | — | Coreless Transformer (CT) |