1EDN8511BXUSA1 vs 1ED3323MC12NXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN8511BXUSA1 מאת Infineon ו 1ED3323MC12NXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN8511BXUSA1 1ED3323MC12NXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 8.5 A
Peak Sink Current 8 A 9 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
טמפרטורת צומת פעולה -40 °C to +150 °C —
מארז PG-SOT23-6-2 PG-DSO-16-40
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
פונקציה — Single-channel isolated gate driver
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Number of Channels — 1
Primary-Side Supply Voltage (VDD1) — 3.1 V to 5.5 V
Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) — 9 V to 18 V
Propagation Delay (typ) — 85 ns
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us]
Protection Features — DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x)
Isolation Technology — Coreless Transformer (CT)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר