1N5711 vs BAT46WH مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1N5711 توسط STMicroelectronics و BAT46WH توسط Nexperia. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1N5711 BAT46WH
برند STMicroelectronics Nexperia
دسته‌بندی Diodes Diodes
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Diode Type Small-signal Schottky barrier (RF) diode —
Peak Reverse Voltage (VRRM) 70 V —
Continuous Forward Current (IF) 15 mA —
Power Dissipation 430 mW [DATA_NEEDED: total power dissipation Ptot]
Forward Voltage (VF) 0.41 V (at 1 mA, per MACOM) 850 mV
Total Capacitance 2 pF —
Junction Capacitance (Cj) 1 pF —
Dynamic Resistance 35 ohm —
Breakdown Voltage (VB) 70 V —
Switching Speed Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage) —
Junction Structure Metal-to-silicon junction with PN guard ring —
بسته‌بندی DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass SOD-123F (flat lead) SMD
نوع نصب Through-Hole Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Reverse Leakage Current [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR] [DATA_NEEDED: reverse leakage current IR]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Diode Configuration — Single
Technology — Planar Schottky barrier with integrated guard ring
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 100 V
Forward Current (IF) — 250 mA
Non-Repetitive Peak Forward Current — 2.5 A
Maximum Operating Temperature — 155 C
Terminal Position — Dual
Terminal Form — Flat
Number of Terminals — 2
Package Shape — Rectangular
Typical Applications — High-speed switching, voltage clamping, line termination, reverse polarity protection
Junction Capacitance — [DATA_NEEDED: junction capacitance]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت