IPB051N15NM6ATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB051N15NM6ATMA1 توسط Infineon و IPB110P06LMATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 - 150V 5.1mOhm OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB051N15NM6ATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB051N15NM6ATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 139 A | -100 A |
| RDS(on) Typical at VGS=10 V | 5.1 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 51 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 234 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55 C to +175 C (TJ) |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 3 (Drain, Source, Gate) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Technology | — | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| Lead-Free | — | Yes |