IRFS4321TRRPBF vs IRFS4321TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS4321TRRPBF توسط Infineon و IRFS4321TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS4321TRRPBF IRFS4321TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 85 A (Tc) —
Continuous Drain Current (ID) at 100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
RDS(on) Maximum at VGS=10V 15 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate-to-Source Voltage Maximum +/- 30 V —
Power Dissipation (PD) 350 W (Tc) —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 0.65 C/W (end of life, D2PAK) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA] —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab) TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Single-pulse avalanche rated (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS Compliant —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 85 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V — 15 mOhm
RDS(on) Max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) Typ — 71 nC
Total Gate Charge (Qg) Max — 110 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 350 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max — 0.45 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life — 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C)
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت