IRFS4321TRRPBF vs IRFS4321TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFS4321TRRPBF מאת Infineon ו IRFS4321TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFS4321TRRPBF IRFS4321TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C 85 A (Tc) —
Continuous Drain Current (ID) at 100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
RDS(on) Maximum at VGS=10V 15 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate-to-Source Voltage Maximum +/- 30 V —
Power Dissipation (PD) 350 W (Tc) —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 0.65 C/W (end of life, D2PAK) —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA] —
מארז D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab) TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Single-pulse avalanche rated (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS Compliant —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 85 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V — 15 mOhm
RDS(on) Max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) Typ — 71 nC
Total Gate Charge (Qg) Max — 110 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 350 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max — 0.45 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life — 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C)
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר