IRFS4321TRRPBF vs IRFS4321TRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS4321TRRPBF بذریعہ Infineon اور IRFS4321TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFS4321TRRPBF | IRFS4321TRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25C | 85 A (Tc) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100C | [DATA_NEEDED: ID at 100C] | — |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | 15 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Maximum | +/- 30 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 350 W (Tc) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 0.65 C/W (end of life, D2PAK) | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | [DATA_NEEDED: RthJA] | — |
| پیکیج | D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab) | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rating | Single-pulse avalanche rated (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free (PBF suffix), RoHS Compliant | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 85 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 15 mOhm |
| RDS(on) Max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | 71 nC |
| Total Gate Charge (Qg) Max | — | 110 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 350 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max | — | 0.45 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life | — | 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |