IRL540NSTRLPBF vs IRFR120NTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRL540NSTRLPBF توسط Infineon و IRFR120NTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRL540NSTRLPBF IRFR120NTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی TO-263 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) Yes (fully avalanche rated)
وضعیت RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
محدوده دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت