IRL540NSTRLPBF vs IRFR120NTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRL540NSTRLPBF מאת Infineon ו IRFR120NTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRL540NSTRLPBF IRFR120NTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C —
מארז TO-263 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) Yes (fully avalanche rated)
סטטוס RoHS Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 9.4 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר