K4B4G1646E-BMK0 vs IS43TR16256AL-125KBL مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BMK0 توسط Samsung Electronics و IS43TR16256AL-125KBL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BMK0 | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| نرخ داده | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| اندازه حافظه | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |