K4B4G1646E-BMK0 vs IS43TR16256AL-125KBL השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BMK0 מאת Samsung Electronics ו IS43TR16256AL-125KBL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BMK0 | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| מארז | 96-FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| מתח אספקה | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |