K4RAH086VB-BIWM vs H5CG48AGBDX018N مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH086VB-BIWM توسط Samsung Electronics و H5CG48AGBDX018N توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH086VB-BIWM | H5CG48AGBDX018N |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $87.42 |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2G x 8) |
| نرخ داده | 5600 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| سازمان | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: temperature range] | -40C to +85C |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Bus Width | — | 8 bit |
| بسته‌بندی | — | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) |
| رابط | — | JEDEC DDR5 |
| Memory Generation | — | DDR5 (SK hynix A-die) |
| Clock Frequency | — | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) |
| Application Class | — | Computing, industrial controllers, embedded logging |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |