VNQ660SPTR-E vs VNQ660SP مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار VNQ660SPTR-E توسط STMicroelectronics و VNQ660SP توسط STMicroelectronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر VNQ660SPTR-E VNQ660SP
برند STMicroelectronics STMicroelectronics
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Quad-channel high-side solid-state relay Quad Channel High-Side Solid State Relay
Technology ST VIPower M0-3 (vertical DMOS) VIPower M0-3
Number of Channels 4 4
Switch Type High-side N-channel power MOSFET —
Supply Voltage (VCC) 6 V to 36 V —
Maximum Continuous Output Current (per channel) 6 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm typical (per channel) —
Input Compatibility CMOS logic-level inputs CMOS-compatible logic inputs
Protection Features Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection —
Status Feedback Analog status flag per channel —
Off-State Quiescent Current [DATA_NEEDED: standby Iq] —
دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی PowerSO-10 with exposed bottom pad PowerSO-10 (10-pin with exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Maximum Power Dissipation 113.6 W (with proper thermal design) —
وضعیت RoHS Compliant —
Part Number — VNQ660SP
Manufacturer — STMicroelectronics
پیکربندی خروجی — High-Side (N-Channel MOSFET)
On-Resistance RDS(on) per Channel — 50 mΩ (typical)
Continuous Output Current per Channel — 6 A
Supply Voltage VCC — 10 V to 36 V
Open-Load Detection — Yes (off-state)
Undervoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Clamp — Yes (active avalanche)
خاموشی حرارتی — Yes
Current Limitation — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت