VNQ660SPTR-E vs VNQ660SP השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של VNQ660SPTR-E מאת STMicroelectronics ו VNQ660SP מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר VNQ660SPTR-E VNQ660SP
מותג STMicroelectronics STMicroelectronics
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Quad-channel high-side solid-state relay Quad Channel High-Side Solid State Relay
Technology ST VIPower M0-3 (vertical DMOS) VIPower M0-3
Number of Channels 4 4
Switch Type High-side N-channel power MOSFET —
Supply Voltage (VCC) 6 V to 36 V —
Maximum Continuous Output Current (per channel) 6 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 40 mOhm typical (per channel) —
Input Compatibility CMOS logic-level inputs CMOS-compatible logic inputs
Protection Features Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection —
Status Feedback Analog status flag per channel —
Off-State Quiescent Current [DATA_NEEDED: standby Iq] —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PowerSO-10 with exposed bottom pad PowerSO-10 (10-pin with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Maximum Power Dissipation 113.6 W (with proper thermal design) —
סטטוס RoHS Compliant —
Part Number — VNQ660SP
Manufacturer — STMicroelectronics
תצורת מוצא — High-Side (N-Channel MOSFET)
On-Resistance RDS(on) per Channel — 50 mΩ (typical)
Continuous Output Current per Channel — 6 A
Supply Voltage VCC — 10 V to 36 V
Open-Load Detection — Yes (off-state)
Undervoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Shutdown — Yes
Overvoltage Clamp — Yes (active avalanche)
כיבוי תרמי — Yes
Current Limitation — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר