2EDN8533RXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDN8533RXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL6014ACG2DXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver, 4A/6A | Infineon
2EDL6014ACG2DXTMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | 2EDN8533RXTMA1 | 2EDL6014ACG2DXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Type | Dual-channel low-side gate driver IC | — |
| Driver Configuration | Low-side, dual independent channels | — |
| Peak Source/Sink Current | 5 A per channel | — |
| Number of Channels | 2 | 2 (high-side + low-side) |
| Input Compatibility | LV-TTL | — |
| Input Voltage Tolerance (absolute max) | -12 V to +22 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC operating range] | — |
| Output Resistance | Low (per datasheet; see SG figure) | — |
| Propagation Delay | Matched between channels (excellent timing accuracy) | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC UVLO) | — |
| מארז | PG-TSSOP-8 (exposed pad) | 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per Infineon product page) | — |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| תצורת מוצא | — | Non-Inverting |
| High-Side Voltage Rating | — | 120 V |
| Source Output Current | — | 4 A |
| Sink Output Current | — | 6 A |
| Supply Voltage (VDD) | — | 2.97 V to 5.5 V |
| Rise Time (typ.) | — | 4.2 ns |
| Fall Time (typ.) | — | 3.8 ns |
| טמפרטורת פעולה | — | -40 C to +125 C |
| Packing Method | — | Tape & Reel |
| Isolation Type | — | Isolated (level-shifted floating high-side) |
| Technology Family | — | EiceDRIVER 2EDL |