EP3SE80F1152C3N vs EP3SE260F1152C3N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE80F1152C3N מאת Intel ו EP3SE260F1152C3N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Intel
EP3SE260F1152C3N - Stratix III E FPGA, 255K LE, 744 I/O, 1152-FBGA | Intel
EP3SE260F1152C3N ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | EP3SE80F1152C3N | EP3SE260F1152C3N |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | פעיל |
| Series | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements (LEs) | 80,000 | — |
| Total Memory Bits | 6,843,392 bits | — |
| Number of LABs/CLBs | 3200 | — |
| Number of User I/O | 744 | — |
| מספר יציאות | 744 | — |
| מארז / Case | 1152-BBGA, FCBGA (FineLine BGA) | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C (commercial, C3 grade) | 0 C to +85 C (Commercial) |
| Speed/Power Grade | C3 | — |
| Process Technology | 40 nm CMOS | 65 nm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| רמת MSL | 3 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration Memory | SRAM-based, volatile (needs external config device) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Logic Elements / Cells | — | 255,000 |
| Embedded Memory Bits | — | 16,672,768 bits |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| User I/O Count | — | 744 |
| מארז | — | 1152-BBGA, FCBGA |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Transceivers | — | Integrated high-speed transceivers |
| DSP Blocks | — | Yes (dedicated multiplier/accumulator) |
| Embedded Memory Type | — | TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM) |
| External Memory Support | — | DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II |
| Configuration Modes | — | AS, AP, PS, FPP, JTAG |
| Partial Reconfiguration | — | Supported |
| Programmable Power Technology | — | Yes (up to 50% dynamic power reduction) |