H5AN4G8NBJR-PBC vs K4A4G085WD-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G8NBJR-PBC מאת SK hynix ו K4A4G085WD-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN4G8NBJR-PBC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 8 | 512M x 8 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| סוג ממשק | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Density | — | 4 Gb |
| קצב נתונים | — | 2666 Mbps/pin |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +85C |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| ממשק | — | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |