K3LK4L40DM-BGCT vs K4A4G165WF-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K3LK4L40DM-BGCT מאת Samsung Electronics ו K4A4G165WF-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K3LK4L40DM-BGCT | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $8.20 |
| סוג זיכרון | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| קצב נתונים | [DATA_NEEDED: Data Rate] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | 0C to +95C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| ממשק | — | SSTL-12 |
| מארז | — | FBGA-96 (PBGA96) |
| תכונות | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |