K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646E-BYK000 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYH9 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646E-BYK000 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYH9 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1333 Mbps | — |
| מתח אספקה | 1.35 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 ~ 85 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 96FBGA | 96-FBGA (BYK) |
| Number of Banks | 8 | [DATA_NEEDED: bank count] |
| השהיית CAS | Programmable | — |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| סוג זיכרון | — | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| ממשק | — | Parallel |
| תכונות | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | — | 1.25 ns |