1EDN7146UXTSA1 vs 1EDN7136UXTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7146UXTSA1 द्वारा Infineon और 1EDN7136UXTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7146UXTSA1 | 1EDN7136UXTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Driver Type | Single-channel high-side TDI gate driver | — |
| Maximum Blocking Voltage | 200 V | — |
| Input Configuration | Truly differential (TDI) | — |
| Output Current (Source / Sink) | 1.5 A / 2.5 A | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] | — |
| राइज़ टाइम | [DATA_NEEDED: typical rise time ns] | — |
| फॉल टाइम | [DATA_NEEDED: typical fall time ns] | — |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC range V] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +125C | -40 C to +150 C |
| पैकेज | PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) | TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Target Transistor | GaN SG HEMT or power MOSFET | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Topology Support | Half-bridge, low-side, high-side | — |
| फ़ंक्शन | — | High-side / Low-side gate driver IC |
| Driven Device Type | — | GaN HEMT, N-channel MOSFET |
| आउटपुट की संख्या | — | 2 (high-side and low-side) |
| Peak Source Current | — | 1 A |
| Peak Sink Current | — | 2 A |
| Driver Supply Voltage (Max) | — | 200 V |
| Logic Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Active Miller Clamp | — | Yes (integrated) |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (driver supply and logic input) |
| Propagation Delay (Typ) | — | [DATA_NEEDED: propagation delay value] |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes (per Infineon product family convention) |