1EDN7146UXTSA1 vs 1EDN7136UXTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7146UXTSA1 توسط Infineon و 1EDN7136UXTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7146UXTSA1 1EDN7136UXTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
زمان صعود [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
زمان افت [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
محدوده دمای کاری -40C to +125C -40 C to +150 C
بسته‌بندی PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
عملکرد — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
تعداد خروجی‌ها — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes (per Infineon product family convention)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت