1EDN7146UXTSA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7146UXTSA1 tarafından Infineon ve 1EDN7136UXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7146UXTSA1 1EDN7136UXTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Artış Süresi [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Düşüş Süresi [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C -40 C to +150 C
Paket PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Fonksiyon — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Çıkış Sayısı — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family convention)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin