2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2108S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED2108S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 2
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
आउटपुट की संख्या 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] 100 ns
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C —
पैकेज PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 —
RoHS स्थिति Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
पिन की संख्या — 8
Bootstrap Diode — Integrated
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
आउटपुट प्रकार — Half-Bridge, Non-Inverting

डेटाशीट और संसाधन

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