2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2108S06FXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2106S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2108S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 2
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
מספר יציאות 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] 100 ns
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 —
סטטוס RoHS Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
מספר פינים — 8
Bootstrap Diode — Integrated
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
סוג פלט — Half-Bridge, Non-Inverting

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר