2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED2108S06FXUMA1 توسط Infineon و 2ED2106S06FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED2108S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 2
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side + low-side) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] 100 ns
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
تعداد پین‌ها — 8
Bootstrap Diode — Integrated
محدوده دمای کاری — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
نوع خروجی — Half-Bridge, Non-Inverting

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت