2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED21834S06JXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED2108S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2ED21834S06JXUMA1 2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 - 650V 2.5A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED21834S06JXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2ED21834S06JXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes Yes
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
पैकेज PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
पिन की संख्या 14 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 °C to +125 °C —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
आउटपुट की संख्या — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C
MSL स्तर — 1

डेटाशीट और संसाधन

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