2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED21834S06JXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2108S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED21834S06JXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes Yes
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Paket PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Pin Sayısı 14 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Çıkış Sayısı — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin