AS4C512M16D4-75BIN vs NT5AD512M16C4-JR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4-75BIN द्वारा Alliance Memory और NT5AD512M16C4-JR द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C512M16D4-75BIN | NT5AD512M16C4-JR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $73.75 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13) | TFBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| इंटरफ़ेस | POD | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps | 1.6 GHz (DDR4-3200) |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| संगठन | — | 512M x16 |
| Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C |
| Standby Current | — | 0.023 A (max) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |