AS4C512M16D4-75BIN vs NT5AD512M16C4-JR So sánh
So sánh chi tiết song song của AS4C512M16D4-75BIN bằng Alliance Memory và NT5AD512M16C4-JR bằng Nanya Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | AS4C512M16D4-75BIN | NT5AD512M16C4-JR |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Alliance Memory | Nanya Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $73,75 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Hộp | 96-FBGA (7.5x13) | TFBGA-96 |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Giao diện | POD | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps | 1.6 GHz (DDR4-3200) |
| Số lượng chân | 96 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Tính năng | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Tổ chức | — | 512M x16 |
| Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C |
| Standby Current | — | 0.023 A (max) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |