AS4C512M16D4-75BIN vs NT5AD512M16C4-JR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C512M16D4-75BIN بذریعہ Alliance Memory اور NT5AD512M16C4-JR بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ فعال
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AS4C512M16D4-75BIN NT5AD512M16C4-JR
برانڈ Alliance Memory Nanya Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $73.75
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج 96-FBGA (7.5x13) TFBGA-96
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to +95°C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
انٹرفیس POD —
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps 1.6 GHz (DDR4-3200)
پنز کی تعداد 96 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
خصوصیات Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
تنظیم — 512M x16
Density — 8 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — 0°C to +95°C
Standby Current — 0.023 A (max)
Number of Terminals — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں