AS4C512M16D4-75BIN vs NT5AD512M16C4-JR 比較
詳細並排比較 AS4C512M16D4-75BIN 由 Alliance Memory 與 NT5AD512M16C4-JR 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ 啟用中
規格比較
| 參數 | AS4C512M16D4-75BIN | NT5AD512M16C4-JR |
|---|---|---|
| 品牌 | Alliance Memory | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $73.75 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 記憶體容量 | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| 供應電壓 | 1.2 V | — |
| 封裝 | 96-FBGA (7.5x13) | TFBGA-96 |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 介面 | POD | — |
| 資料速率 | 2666 Mbps | 1.6 GHz (DDR4-3200) |
| 腳位數 | 96 | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| 功能特色 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| 組織 | — | 512M x16 |
| Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| 工作溫度範圍 | — | 0°C to +95°C |
| Standby Current | — | 0.023 A (max) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |