BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC036NE7NS3GATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N06S2L65ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC036NE7NS3GATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | Dual N-Channel, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 2.6 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | 45 nC | — |
| Rise Time (tr typ) | 13 ns | — |
| Fall Time (tf typ) | 11 ns | — |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | 156 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55°C to +175°C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | ROHS3 Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Technology | — | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A per channel |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |