BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC036NE7NS3GATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S2L65ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC036NE7NS3GATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel Dual N-Channel, Logic Level
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55°C to +175°C
Paket PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu ROHS3 Compliant —
MSL Seviyesi 1 MSL1 (260°C peak reflow)
Technology — OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A per channel
RDS(on) at VGS=10V — 65 mΩ typical
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic level)
Total Power Dissipation (Ptot) — 43 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)
Packaging — Tape & Reel (TMA1 suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin