BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC036NE7NS3GATMA1 توسط Infineon و IPG20N06S2L65ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC036NE7NS3GATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | Dual N-Channel, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 2.6 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | 45 nC | — |
| Rise Time (tr typ) | 13 ns | — |
| Fall Time (tf typ) | 11 ns | — |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | 156 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55°C to +175°C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| سطح MSL | 1 | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Technology | — | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A per channel |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |