BSL606SNH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSL606SNH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSP295H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSL606SNH6327XTSA1 | BSP295H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS3 trench MOSFET | Planar N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 4.5 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 5.6 nC (max) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | — | 1.8 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | — | 1.8 W |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 300 mΩ |
| Tape and Reel Packing Code | — | H6327 (7-inch reel) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Drain Tab Connection | — | Pin 4 (tab) |